Вход в личный кабинет

Тендер - Торги на комплектующие и РМ для ВТ 38 Ив. №246892302

Описание тендера: ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ММК-ИНФОРМСЕРВИС" объявляет тендер: Торги на комплектующие и РМ для ВТ 38 Ив.
Сумма контракта: См. документацию Получить финансовую помощь
Начало показа: 26.05.2023
Окончание: 31.05.2023 15:00:00
Тендер №: 246892302
Тип: Запрос котировок Тендерная аналитика
Отрасль: Электротехника / Электронное оборудование, установки
Регион: Уральский ФО / Челябинская область / Магнитогорск
Источник: ▒▒▒▒▒u
Торговая площадка: ▒▒▒▒▒▒▒▒▒▒▒▒▒▒▒m▒▒▒▒

Зарегистрируйтесь и получите полную информацию о Заказчике, аналитику по снижению им цены и основным поставщикам.

Лот 1

Предмет контракта: Торги на комплектующие и РМ для ВТ 38 Ив.
Цена контракта: 0,00 RUB

Название Цена Цена за ед. Количество Ед. измерения
1 СНБ|580|00002687: ТРАНЗИСТОР ПОЛЕВОЙ МОП (MOSFET) С КАНАЛОМ ТИПА N 800 В 17 А 227 Вт SPW17N80C3 (ТРАНЗИСТОР, ТИП: ПОЛЕВОЙ МОП (MOSFET) С КАНАЛОМ ТИПА N , НАПРЯЖЕНИЕ: 800 В, ТОК: 17 А, МОЩНОСТЬ: 227 Вт, КОНСТРУКЦИЯ: TO-247 , УСТАНОВКА: НА РАДИАТОР , СТАНДАРТ: ISO 14001, ISO 9001:2000, СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ: , АРТИКУЛ(КАТАЛОЖНЫЙ) НОМЕР, SPW17N80C3, ПРОИЗВОДИТЕЛЬ: INFINEON TECHNOLOGIES AG (ГЕРМАНИЯ), ПРИМЕНЕНИЕ, ИБП, МОНИТОРЫ, ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ: РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА: ОТ -55`C ДО +150`C. СОПРОТИВЛЕНИЕ КАНАЛА: 0,29 ОМ.) - - 5 ШТ
2 СНБ|580|00002821: КОНДЕНСАТОР EXR ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ 330 мкФ 25 В (КОНДЕНСАТОР, ТИП: ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ , ЕМКОСТЬ: 330 мкФ, НАПРЯЖЕНИЕ: 25 В, РАЗМЕРЫ: D10Х13 мм, РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА: 105 гр.С, СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ: , ПРОИЗВОДИТЕЛЬ: HITANO, ОБОЗНАЧЕНИЕ, EXR, ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ: ISO9002:2000) - - 100 ШТ
3 СНБ|580|00050292: ТРАНЗИСТОР FDD4685 MOSFET, МОЩНЫЙ 40 В 8.4 А 69 Вт (ТРАНЗИСТОР, ТИП: MOSFET, МОЩНЫЙ , НАПРЯЖЕНИЕ: 40 В, ТОК: 8.4 А, МОЩНОСТЬ: 69 Вт, КОНСТРУКЦИЯ: P-CHANNEL , СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ: , ПРОИЗВОДИТЕЛЬ: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR, ОБОЗНАЧЕНИЕ, FDD4685, ПРИМЕНЕНИЕ, ИНВЕРТОР LCD-МОНИТОР, ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ: ISO/TS 16949:2002, AEC, ISO-9000:2000, QS-9000 QUALITY SYSTEM CERTIFICATION, КОРПУС TO-252,МИНИМАЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ КАНАЛА RDS- 0,027 ОМ) - - 20 ШТ
4 СНБ|580|00005606: ТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ, С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ 600 В 45 А HGTG20N60C3 (ТРАНЗИСТОР, ТИП: БИПОЛЯРНЫЙ, С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ , НАПРЯЖЕНИЕ: 600 В, ТОК: 45 А, КОНСТРУКЦИЯ: N-CHANNEL , СТАНДАРТ: ISO 9001 , СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ: , АРТИКУЛ(КАТАЛОЖНЫЙ) НОМЕР, HGTG20N60C3, ПРОИЗВОДИТЕЛЬ: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR, ПРИМЕНЕНИЕ, БП ММК-ИНФОРМСЕРВИС, ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ: КОРПУС TO-247) - - 10 ШТ
5 СНБ|580|00009542: КОНДЕНСАТОР TEAPO SH / JAMICON TK / SAMWHA RD / CAPXON KM ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ 470 мкФ 35 Впст 10Х16 мм ДО 105 гр.С (КОНДЕНСАТОР, ТИП: ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ , ЕМКОСТЬ: 470 мкФ, НАПРЯЖЕНИЕ: 35 Впст, ИСПОЛНЕНИЕ: РАДИАЛЬНОЕ , ТИП СОЕДИНЕНИЯ: ПАЙКА , РАЗМЕРЫ: 10Х16 мм, ДОПУСТИМОЕ ОТКЛОНЕНИЕ: 20 %, РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА: ДО 105 гр.С, СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ: , ОБОЗНАЧЕНИЕ, TEAPO SH / JAMICON TK / SAMWHA RD / CAPXON KM, ПРОИЗВОДИТЕЛЬ: TEAPO ELECTRONIC CORP (КИТАЙ) / JAMICON ELECTRONICS CORP (КИТАЙ) / SAMWHA ELECTRIC CO LTD (ЮЖНАЯ КОРЕЯ) / CAPXON INTERNATIONAL ELECTRONIC CO LTD (КИТАЙ), ПРИМЕНЕНИЕ, ЗАПАСНАЯ ЧАСТЬ ДЛЯ РЕМОНТА ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ) - - 300 ШТ
6 СНБ|580|00010274: МИКРОСХЕМА ИНТЕГРАЛЬНАЯ NCP1203D60R2 (МИКРОСХЕМА ИНТЕГРАЛЬНАЯ, ФУНКЦИЯ: ГЕНЕРАЦИЯ ЗАДАЮЩАЯ, С ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ , ТИП КОРПУСА: SOIC-8, СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ: , ОБОЗНАЧЕНИЕ, NCP1203D60R2, ПРОИЗВОДИТЕЛЬ: ON SEMICONDUCTOR, США, ПРИМЕНЕНИЕ, РАДИОЭЛЕКТРОННАЯ И ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКИ, ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ: НАЗНАЧЕНИЕ: ЗАПАСНАЯ ЧАСТЬ РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ И ВЫЧИСЛИТЕЛЬНОЙ ТЕХНИКИ. МИКРОСХЕМА NCP1203D60R2 ЯВЛЯЕТСЯ ШИМ-КОНТРОЛЛЕРОМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ. ЧАСТОТА ГЕНЕРАЦИИ: 60 КГЦ. РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА:) - - 20 ШТ
7 СНБ|580|00013671: ДИОД VS-63CTQ100 ШОТТКИ 100 В 2Х30 А (ДВА ДИОДА В КОРПУСЕ) (ДИОД, ТИП: ШОТТКИ , НАПРЯЖЕНИЕ: 100 В, ИСПОЛНЕНИЕ КОРПУСА: ТО-220AB , ПРЯМОЕ НАПРЯЖЕНИЕ: 0.69 В, ПРЯМОЙ ТОК: 2Х30 А, ОБРАТНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ: 100 В, ОБРАТНЫЙ ТОК: 0.02 мА, СТАНДАРТ: -, СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ: , ОБОЗНАЧЕНИЕ, VS-63CTQ100, ПРОИЗВОДИТЕЛЬ: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC (США), (ДВА ДИОДА В КОРПУСЕ)) - - 5 ШТ
8 СНБ|580|00014748: ТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ NPN 80 В 500 мА 0.22 Вт [SOT-23] SMMBTA06LT3G (ТРАНЗИСТОР, ТИП: БИПОЛЯРНЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ NPN , НАПРЯЖЕНИЕ: 80 В, ТОК: 500 мА, МОЩНОСТЬ: 0.22 Вт, КОНСТРУКЦИЯ: [SOT-23], СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ: , АРТИКУЛ(КАТАЛОЖНЫЙ) НОМЕР, SMMBTA06LT3G, ПРОИЗВОДИТЕЛЬ: ON SEMICONDUCTOR (США)) - - 50 ШТ
9 СНБ|580|00014753: ТРАНЗИСТОР SGB30N60 IGBT NPT 600 В 41 А 250 Вт [TO-263] (ТРАНЗИСТОР, ТИП: IGBT NPT , НАПРЯЖЕНИЕ: 600 В, ТОК: 41 А, МОЩНОСТЬ: 250 Вт, КОНСТРУКЦИЯ: [TO-263], СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ: , ОБОЗНАЧЕНИЕ, SGB30N60, ПРОИЗВОДИТЕЛЬ: INFINEON TECHNOLOGIES AG (ГЕРМАНИЯ)) - - 10 ШТ
10 СНБ|580|00014763: ДИОД SR5100 (SR510) ШОТТКИ [DO-201AD] 0.85 В 5 А 100 В (ДИОД, ТИП: ШОТТКИ , ИСПОЛНЕНИЕ КОРПУСА: [DO-201AD] , ПРЯМОЕ НАПРЯЖЕНИЕ: 0.85 В, ПРЯМОЙ ТОК: 5 А, ОБРАТНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ: 100 В, СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ: , ОБОЗНАЧЕНИЕ, SR5100 (SR510), ПРОИЗВОДИТЕЛЬ: KINGTRONICS INTERNATIONAL (КИТАЙ)) - - 50 ШТ
11 СНБ|580|00015609: ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ ПЛАВКИЙ H630 D6.35 Х L30 мм 250 В 25 А (ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ ПЛАВКИЙ, РАЗМЕРЫ: D6.35 Х L30 мм, НАПРЯЖЕНИЕ: 250 В, ТОК: 25 А, СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ: , ОБОЗНАЧЕНИЕ, H630) - - 100 ШТ
12 СНБ|580|00015611: ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ ПЛАВКИЙ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ D6 Х L30 мм СТЕКЛЯННЫЙ 250 В 30 А (ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ ПЛАВКИЙ, ТИП: БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ , РАЗМЕРЫ: D6 Х L30 мм, МАТЕРИАЛ КОРПУСА: СТЕКЛЯННЫЙ , НАПРЯЖЕНИЕ: 250 В, ТОК: 30 А) - - 100 ШТ
13 СНБ|580|00015612: ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ ПЛАВКИЙ H630 D6.35 Х L30 мм 250 В 15 А (ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ ПЛАВКИЙ, РАЗМЕРЫ: D6.35 Х L30 мм, НАПРЯЖЕНИЕ: 250 В, ТОК: 15 А, СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ: , ОБОЗНАЧЕНИЕ, H630) - - 100 ШТ
14 СНБ|580|00015617: ТРАНЗИСТОР 2SK3596 ПОЛЕВОЙ МОП (MOSFET) С КАНАЛОМ ТИПА N [D2PAK] / [TO-263] (ТРАНЗИСТОР, ТИП: ПОЛЕВОЙ МОП (MOSFET) С КАНАЛОМ ТИПА N , НАПРЯЖЕНИЕ: 200 В, ТОК: 30 А, МОЩНОСТЬ: 135 Вт, КОНСТРУКЦИЯ: [D2PAK] / [TO-263], СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ: , ОБОЗНАЧЕНИЕ, 2SK3596, ПРОИЗВОДИТЕЛЬ: FUJI ELECTRIC CO (ФУДЗИ ЭЛЕКТРИК, ЯПОНИЯ)) - - 20 ШТ
15 СНБ|580|00015696: ДИОД MUR4100 УЛЬТРАБЫСТРЫЙ [DO-201AD] (ДИОД, ТИП: УЛЬТРАБЫСТРЫЙ , ИСПОЛНЕНИЕ КОРПУСА: [DO-201AD], СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ: , ОБОЗНАЧЕНИЕ, MUR4100, ПРОИЗВОДИТЕЛЬ: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC, США) / ON SEMICONDUCTOR (США), ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ: ВРЕМЯ ОБРАТНОГО ВОЗСТАНОВЛЕНИЯ: 100 НС.) - - 30 ШТ
16 СНБ|580|00015697: ДИОД SBR3150SB / BR315 ШОТТКИ [SMB] (ДИОД, ТИП: ШОТТКИ , ИСПОЛНЕНИЕ КОРПУСА: [SMB] , ПРЯМОЕ НАПРЯЖЕНИЕ: 0.82 В, ПРЯМОЙ ТОК: 3 А, ОБРАТНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ: 150 В, СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ: , ОБОЗНАЧЕНИЕ, SBR3150SB / BR315, ПРОИЗВОДИТЕЛЬ: DIODES INCORPORATED (США) / PANJIT INTERNATIONAL INC (КИТАЙ)) - - 30 ШТ
17 СНБ|580|00017283: МИКРОСХЕМА ИНТЕГРАЛЬНАЯ TDA2052 УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ НЧ (МИКРОСХЕМА ИНТЕГРАЛЬНАЯ, ФУНКЦИЯ: УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ НЧ , ТИП КОРПУСА: [TO-220], СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ: , ОБОЗНАЧЕНИЕ, TDA2052, ПРОИЗВОДИТЕЛЬ: ST MICROELECTRONICS (ШВЕЙЦАРИЯ)) - - 20 ШТ
18 СНБ|580|00017294: ТРАНЗИСТОР IRFH9310TRPBF ПОЛЕВОЙ МОП (MOSFET) С КАНАЛОМ ТИПА P 30 В 20 А 3 Вт [PQFN] (ТРАНЗИСТОР, ТИП: ПОЛЕВОЙ МОП (MOSFET) С КАНАЛОМ ТИПА P , НАПРЯЖЕНИЕ: 30 В, ТОК: 20 А, МОЩНОСТЬ: 3 Вт, КОНСТРУКЦИЯ: [PQFN], СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ: , ОБОЗНАЧЕНИЕ, IRFH9310TRPBF, ПРОИЗВОДИТЕЛЬ: INTERNATIONAL RECTIFIER (США)) - - 20 ШТ
19 СНБ|580|00017305: ТРАНЗИСТОР IRFH5304TRPBF ПОЛЕВОЙ МОП (MOSFET) С КАНАЛОМ ТИПА N 30 В 79 А 3.6 Вт [PQFN] (ТРАНЗИСТОР, ТИП: ПОЛЕВОЙ МОП (MOSFET) С КАНАЛОМ ТИПА N , НАПРЯЖЕНИЕ: 30 В, ТОК: 79 А, МОЩНОСТЬ: 3.6 Вт, КОНСТРУКЦИЯ: [PQFN], СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ: , ОБОЗНАЧЕНИЕ, IRFH5304TRPBF, ПРОИЗВОДИТЕЛЬ: INFINEON TECHNOLOGIES AG (ГЕРМАНИЯ)) - - 15 ШТ
20 СНБ|580|00017306: ТРАНЗИСТОР IRF8788 ПОЛЕВОЙ МОП (MOSFET) С КАНАЛОМ ТИПА N 30 В 24 А 2.5 Вт [SO-8] (ТРАНЗИСТОР, ТИП: ПОЛЕВОЙ МОП (MOSFET) С КАНАЛОМ ТИПА N , НАПРЯЖЕНИЕ: 30 В, ТОК: 24 А, МОЩНОСТЬ: 2.5 Вт, КОНСТРУКЦИЯ: [SO-8], СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ: , ОБОЗНАЧЕНИЕ, IRF8788, ПРОИЗВОДИТЕЛЬ: INFINEON TECHNOLOGIES AG (ГЕРМАНИЯ)) - - 20 ШТ
21 СНБ|580|00017778: МИКРОСХЕМА ИНТЕГРАЛЬНАЯ STRA6059H ШИМ-КОНТРОЛЛЕР С СИЛОВЫМ ЭЛЕМЕНТОМ [DIP-7] (МИКРОСХЕМА ИНТЕГРАЛЬНАЯ, ФУНКЦИЯ: ШИМ-КОНТРОЛЛЕР С СИЛОВЫМ ЭЛЕМЕНТОМ , ТИП КОРПУСА: [DIP-7], СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ: , ОБОЗНАЧЕНИЕ, STRA6059H, ПРОИЗВОДИТЕЛЬ: SANKEN ELECTRIC CO LTD (ЯПОНИЯ)) - - 10 ШТ
22 СНБ|580|00017928: МИКРОСХЕМА ИНТЕГРАЛЬНАЯ STR-A6069H ШИМ-КОНТРОЛЛЕР С СИЛОВЫМ ЭЛЕМЕНТОМ (МИКРОСХЕМА ИНТЕГРАЛЬНАЯ, ФУНКЦИЯ: ШИМ-КОНТРОЛЛЕР С СИЛОВЫМ ЭЛЕМЕНТОМ , ТИП КОРПУСА: [DIP-7], СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ: , ОБОЗНАЧЕНИЕ, STR-A6069H, ПРОИЗВОДИТЕЛЬ: SANKEN ELECTRIC CO LTD (ЯПОНИЯ)) - - 20 ШТ
Задать вопрос по тендеру: 

Похожие тендеры

Название Тип тендера Цена Период показа
Электронный аукцион
#319173713
559 894
4 дня
05.12.2025
16.12.2025

Тендеры из отрасли Электронное оборудование, установки

Название Тип тендера Цена Период показа
Запрос котировок
#246892238
4 363 437
срок истек
26.05.2023
02.06.2023
Конкурс
#246892207
53 807 200
срок истек
-
09.06.2023
Запрос котировок
#246892142
631 544
срок истек
26.05.2023
02.06.2023
Единственный поставщик
#246892130
175 159
срок истек
26.05.2023
-
Запрос котировок
#246892125
166 683
срок истек
26.05.2023
05.06.2023

Тендеры из региона Магнитогорск

Название Тип тендера Цена Период показа
Малая закупка
#246892202
3 500
срок истек
-
29.05.2023
Единственный поставщик
#246892138
481 620
срок истек
25.05.2023
25.05.2023
Запрос котировок
#246892118
срок истек
-
30.05.2023
Запрос котировок
#246892089
срок истек
-
31.05.2023
Малая закупка
#246891285
10 290
срок истек
26.05.2023
30.05.2023
Показать больше информации о тендере